Нобелевский лауреат Жорес Алферов проведет в Новосибирске два дня, общаясь с академиками, студентами и коммунистами

23 Ноя 2011, 08:13

Лауреат Нобелевской премии Жорес Алферов, занимающий четвертую строчку в федеральном списке КПРФ на выборах в Госдуму РФ шестого созыва, приедет в Новосибирск с двухдневным визитом. 81-летний академик пообщается с учеными из СО РАН, студентами, коммунистами, представителями СМИ и общественности.

Нобелевский лауреат и депутат Госдумы РФ Жорес Алферов, занимающий четвертую строчку в федеральном списке кандидатов в депутаты Госдумы РФ шестого созыва от КПРФ, приедет в Новосибирск с двухдневным визитом. Он планирует пообщаться с учеными из СО РАН, студентами, коммунистами, представителями СМИ и общественности, сообщил Тайге.инфо 23 ноября сотрудник пресс-службы новосибирского обкома КПРФ.

Алферов прилетит в Новосибирск утром 24 ноября и посвятит весь день работе в Академгородке. Там у него запланированы встречи с научной общественностью и руководством СО РАН, пресс-конференция в Доме ученых СО РАН, лекция «Революция полупроводников в ХХ веке» в НГУ и лекция «Может ли «Cколковская Россия» выйти за пределы Сколково?» в технопарке.

«25 ноября академик встретится со студентами технического университета, а вечером у него будет встреча с общественностью Новосибирска в Доме культуры „Строитель“», — рассказал представитель КПРФ.

По словам собеседника Тайги.инфо, коммунисты рассчитывают, что пятницу Жорес Алферов посвятит работе в рамках избирательной кампании как кандидат в Госдуму РФ шестого созыва по списку КПРФ. Так, 81-летний Алферов «встретится со своими товарищами» из новосибирского отделения компартии.

Напомним, Жорес Алферов — член комитета Госдумы РФ по образованию и науке, вице-председатель РАН, автор более 500 научных работ, 50 изобретений и трех монографий. Лауреат многих наград, премий, орденов и медалей, в том числе Ленинской премии СССР, Госпремии РФ и Нобелевской премии по физике 2000 года, которую он получил «за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной оптоэлектроники».