Новосибирские физики разработали самую быструю в мире флешку

29 Авг 2016, 05:38

Флеш-память с использованием мультиграфена может превзойти по основным параметрам аналоги, созданные на основе других материалов, заявили новосибирские ученые. Быстродействие устройства увеличится в три раза.

Применение нескольких слоев графена (мультиграфена) во флеш-памяти изучает Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН.

«Необходимыми компонентами такой флеш-памяти являются туннельный и блокирующий слои. Первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости», — рассказывает «Наука в Сибири».

«Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза, — пояснил кандидат физико-математических наук Юрий Новиков. — Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд (информацию, вводящуюся на носитель — прим. Тайги.инфо)».

Ученые разработали опытные образцы, но говориться о масштабном производстве графеновой флеш-памяти пока рано, отмечают они. «Для коммерческого применения, скажем в России, требуется завод с современными технологиями. Стоить он будет около $5 млрд», — заявил Новиков.